面発光レーザ素子、光走査装置及び画像形成装置

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	面発光レーザ素子、光走査装置及び画像形成装置
其他题名	面発光レーザ素子、光走査装置及び画像形成装置
	伊藤彰浩; 原坂和宏; 佐藤俊一; 軸谷直人
	2016-05-13
专利权人	株式会社リコー
公开日期	2016-06-01
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】高い単一基本モード出力で偏光安定性をもち、等方性の高いビーム断面形状で、ビーム発散角の小さく、高い歩留で安定して製造することができる面発光レーザを提供する。【解決手段】面発光レーザアレイの各発光部は、z軸方向からみたとき、射出領域が、中心部を含み相対的に反射率が高い第1半導体表面構造体領域116Bと、相対的に反射率の低い第2半導体表面構造体領域116Aとを有している。そして、各発光部における電流狭窄領域108bの形状は、z軸方向からみたとき、y軸方向に平行で中心を通る長さが、x軸方向に平行で中心を通る長さよりも短い形状である。また、各発光部における第1半導体表面構造体領域116Bの形状は、z軸方向からみたとき、y軸方向に平行で中心を通る長さが、x軸方向に平行で中心を通る長さよりも長い形状である。【選択図】図7
其他摘要	要解决的问题：提供一种在高单基模输出时具有偏振稳定性的表面发射激光器，具有高各向同性和小光束发散角的光束横截面形状，并且可以高产率稳定地制造。溶剂：表面发射激光器阵列的每个发光部分的发射区域包括：第一半导体表面结构区域116B，包括具有相对高反射率的中心部分;当从z轴方向观察时，具有相对低的反射率的第二半导体表面结构区域116A。每个发光部分中的电流收缩区域108b的形状具有这样的形状，其平行于y轴方向并且穿过中心的长度短于平行于x轴方向并且穿过中心的长度。从z轴方向看。每个发光部分中的第一半导体表面结构区域116B的形状具有这样的形状，其中与y轴方向平行并且穿过中心的长度比平行于x轴方向并且穿过中心的长度长。从z轴方向观察时的中心。
申请日期	2012-02-02
专利号	JP5929259B2
专利状态	授权
申请号	JP2012020444
公开（公告）号	JP5929259B2
IPC 分类号	H01S5/183 \| B41J2/44 \| G02B26/10
专利代理人	立石篤司
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34111
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社リコー
推荐引用方式 GB/T 7714	伊藤彰浩,原坂和宏,佐藤俊一,等. 面発光レーザ素子、光走査装置及び画像形成装置. JP5929259B2[P]. 2016-05-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP5929259B2.PDF（553KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文