光源装置、光学ピックアップ、記録装置

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	光源装置、光学ピックアップ、記録装置
其他题名	光源装置、光学ピックアップ、記録装置
	岡美智雄; 吉田浩; 田中健二
	2016-01-22
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	2016-03-01
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	(修正有) 【課題】MLLD(モードロックレーザ)部とSOA(半導体光増幅器)を備えたMOPA(Master Oscillator Power Amplifier)光源装置について、その出射ビームを単峰化し、且つそのピーク位置の変動を抑制する。【解決手段】SOA14の入射側導波路の横方向幅を当該SOAの入射側導波路の水平横モードがマルチモード(MLLD部の出射側導波路の横方向幅よりも大)となるように設定し、且つSOAの入射側光結合において基本モード(シングルモード)が選択励起されるようにMLLD部10からSOAへの入射光の倍率変換を行い、SOAの入射側導波路幅で規定される基本モードの光閉じ込めをより大とし、SOA出射光の光強度分布が単峰特性とする。MLLD部からの入射光の倍率を変換(SOAへの入射光のスポットサイズを拡大)し、SOAの導波路における光密度を低減し、出射ビームのピークの揺らぎを抑制する。【選択図】図2
其他摘要	要解决的问题：为了提供光源器件作为MOPA（主振荡器功率放大器），其包括MLLD（锁模激光二极管）和SOA（半导体光放大器），导致出射光束只有一个峰值，并且抑制峰值位置的变化。解决方案：设置SOA14的入射侧上的波导的横向宽度，使得SOA的入射侧上的波导的水平横向模式变为多种模式（因此大于MLLD的出口侧的波导的横向宽度。转换从MLLD 10到SOA的入射光的放大率，使得在SOA的入射侧的光学耦合中选择性地激发基本模式（单模）。由SOA的入射侧上的波导的宽度限定的基本模式中的光限制增加。确保在SOA输出光的光强度分布中仅出现一个峰值。来自MLLD的入射光的放大率被转换（入射光到SOA的光点尺寸被放大）。 SOA的波导中的光密度降低。退出光束的峰值的变化被抑制。
申请日期	2011-05-30
专利号	JP5870509B2
专利状态	授权
申请号	JP2011120501
公开（公告）号	JP5870509B2
IPC 分类号	H01S5/50 \| H01S5/065 \| G11B7/125
专利代理人	岩田雅信 \| 中川裕人 \| 鈴木伸夫 \| 脇篤夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34090
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	岡美智雄,吉田浩,田中健二. 光源装置、光学ピックアップ、記録装置. JP5870509B2[P]. 2016-01-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP5870509B2.PDF（1794KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文