面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置

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	面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置
其他题名	面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置
	軸谷直人; 佐藤俊一; 菅原悟
	2014-12-26
专利权人	株式会社リコー
公开日期	2015-02-12
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】「負のドループ特性」を抑制するとともに、単一基本横モード発振において高出力動作を可能とする。【解決手段】活性層105を含む共振器構造体、該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体DBR103と上部半導体DBR107を備えている。上部半導体DBR107は、アルミニウムを含む厚さ30nmの被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を少なくとも含む酸化層108aが電流通過領域108bを取り囲み、注入電流と発振光の横モードを同時に閉じこめることができる酸化狭窄構造体をその中に含んでいる。下部半導体DBR103は、共振器構造体に対して基板101側に設けられ、横方向に関する光閉じ込めを低減させる光閉じ込め低減領域としての第2の下部半導体DBRを有している。これにより、「負のドループ特性」を抑制するとともに、単一基本横モード発振において高出力動作が可能となる。【選択図】図3
其他摘要	要解决的问题：抑制负下垂特性并在单基波横向模式振荡中实现高输出操作。解决方案：表面发射激光器元件包括：谐振器结构，包括有源层105，以及通过谐振器结构设置的下半导体DBR 103和上半导体DBR 107。在上半导体DBR 107中，氧化层108a至少包含通过氧化部分所选择的含铝氧化层并具有30nm厚度而产生的氧化物，其围绕电流通过区域108b和能够同时限制注入的氧化限制结构。在上半导体DBR中包括电流和横向模式的振荡光。下半导体DBR 103相对于谐振器结构设置在基板101侧，并且具有第二下半导体DBR，该第二下半导体DBR是用于减小横向上的光限制的光限制减小区域。因此，可以抑制负下降特性，并且可以实现单基本横向模式振荡中的高输出操作。 Ž
申请日期	2009-04-07
专利号	JP5669364B2
专利状态	授权
申请号	JP2009093021
公开（公告）号	JP5669364B2
IPC 分类号	H01S5/183 \| B41J2/47 \| G02B26/10 \| H01S5/42
专利代理人	立石篤司
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34035
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社リコー
推荐引用方式 GB/T 7714	軸谷直人,佐藤俊一,菅原悟. 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置. JP5669364B2[P]. 2014-12-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP5669364B2.PDF（712KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文