半導体集積回路とこれを含む光ピックアップ光学系ユニット及び光ピックアップ装置

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	半導体集積回路とこれを含む光ピックアップ光学系ユニット及び光ピックアップ装置
其他题名	半導体集積回路とこれを含む光ピックアップ光学系ユニット及び光ピックアップ装置
	田口豊喜
	2007-04-27
专利权人	株式会社東芝
公开日期	2007-07-25
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】消費電力を抑えつつ半導体レーザの制御電流に重畳する高周波電流の振幅を大きくでき、発熱量の少ない高周波電流発生回路を備えた半導体集積回路を提供する。【解決手段】光量制御回路4からの制御電流と重畳されて波長の異なる二つの半導体レーザ1,6に供給される高周波電流を発生する高周波電流発生回路40Aは半導体レーザ1,2にそれぞれ対応する二つの高周波電流発生ユニットおよび該二つの高周波電流発生ユニットを制御する共通の制御回路とを有し、各高周波電流発生ユニットは電流吐き出し型の第1の電流源および電流吸い込み型の第2の電流源と、第1および第2の電流源と高周波電流を出力する出力端子との間に接続された第1および第2の電流スイッチと、発振回路と、発振回路の出力信号に従って第1および第2の電流スイッチを相補的にオン·オフ制御するスイッチドライブ回路とを有する。【選択図】図9
其他摘要	要解决的问题：提供具有高频电流产生电路的半导体集成电路，其中可以增大叠加在半导体激光器的控制电流上的高频电流的幅度，同时用更少的热量抑制功耗代。解决方案：高频电流产生电路40A产生叠加在从光量控制电路4输出的控制电流上的高频电流，并提供给具有不同波长的两个半导体激光器1,6。电路40A具有分别对应于半导体激光器1,2的两个高频电流产生单元，以及控制两个高频电流产生单元的公共控制电路。每个高频电流产生单元具有第一电流放电型电流源，第二电流吸收型电流源，连接在第一和第二电流源之间的第一和第二电流开关以及输出高频电流的输出端，振荡电路和开关驱动电路根据振荡电路的输出信号控制第一和第二电流开关的互补ON / OFF。Ž
申请日期	2004-04-12
专利号	JP3950122B2
专利状态	失效
申请号	JP2004117089
公开（公告）号	JP3950122B2
IPC 分类号	G11B7/13 \| H01S \| G11B7/125 \| H01S5/042 \| G11B
专利代理人	鈴江武彦 \| 河野哲 \| 中村誠 \| 蔵田昌俊 \| 村松貞男 \| 橋本良郎
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33890
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	田口豊喜. 半導体集積回路とこれを含む光ピックアップ光学系ユニット及び光ピックアップ装置. JP3950122B2[P]. 2007-04-27.

条目包含的文件
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JP3950122B2.PDF（214KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文