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Semiconductor laser array
其他题名Semiconductor laser array
MIYAZAWA, SEIICHI; HARA, TOSHITAMI; NOJIRI, HIDETOSHI; SEKIGUCHI, YOSHINOBU; HASEGAWA, MITSUTOSHI; IKEDA, SOTOMITSU
1989-01-17
专利权人CANON KABUSHIKI KAISHA, A CORP. OF JAPAN
公开日期1989-01-17
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要A semiconductor laser array includes plural semiconductor laser elements each emitting light from two end faces constituting resonant planes and monolithically formed on a semiconductor substrate, in which the mutual angle of the beams emerging from one end of semiconductor lasers is different from that from the other end and in which the beam angle is selected as a non-zero finite value at least one end.
其他摘要半导体激光器阵列包括多个半导体激光器元件,每个半导体激光器元件从构成谐振平面的两个端面发射光并且单片地形成在半导体衬底上,其中从半导体激光器的一端出射的光束的相互角度与来自另一端的光束的相互角度不同。并且其中光束角被选择为至少一端的非零有限值。
申请日期1987-05-13
专利号US4799229
专利状态失效
申请号US07/049165
公开(公告)号US4799229
IPC 分类号H01S5/40 | H01S5/00 | H01S5/10 | G11B7/14 | G11B7/125 | H01S3/19
专利代理人-
代理机构FITZPATRICK,CELLA,HARPER & SCINTO
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33289
专题半导体激光器专利数据库
作者单位CANON KABUSHIKI KAISHA, A CORP. OF JAPAN
推荐引用方式
GB/T 7714
MIYAZAWA, SEIICHI,HARA, TOSHITAMI,NOJIRI, HIDETOSHI,et al. Semiconductor laser array. US4799229[P]. 1989-01-17.
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