一种波长可调、功率可调的硅基外腔激光器

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	一种波长可调、功率可调的硅基外腔激光器
其他题名	一种波长可调、功率可调的硅基外腔激光器
	邱英; 肖希; 陈代高; 王磊; 李淼峰; 杨奇
	2019-04-16
专利权人	武汉邮电科学研究院
公开日期	2019-04-16
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种波长可调、功率可调的硅基外腔激光器，涉及光通信的集成光学领域，光源的输出端连接第一硅基光耦合器，第一硅基光耦合器连接第一多模干涉仪，第一多模干涉仪分别连接第一硅基微环滤波器和第二硅基微环滤波器，第一硅基微环滤波器和第二硅基微环滤波器之间设置第二多模干涉仪，第二多模干涉仪有两个输出端，一个连接第二硅基微环滤波器，另一个为整个硅基外腔激光器的输出端；所述硅基外腔激光器还包括一个非对称马赫‑曾德干涉仪，其设置于第一硅基微环滤波器和第二硅基微环滤波器之间；两个硅基微环滤波器和非对称马赫‑曾德干涉仪上分别加载有热电阻；本发明满足波长可调的同时，实现功率可调，增加可调谐激光器的使用范围。
其他摘要	一种波长可调、功率可调的硅基外腔激光器，涉及光通信的集成光学领域，光源的输出端连接第一硅基光耦合器，第一硅基光耦合器连接第一多模干涉仪，第一多模干涉仪分别连接第一硅基微环滤波器和第二硅基微环滤波器，第一硅基微环滤波器和第二硅基微环滤波器之间设置第二多模干涉仪，第二多模干涉仪有两个输出端，一个连接第二硅基微环滤波器，另一个为整个硅基外腔激光器的输出端；所述硅基外腔激光器还包括一个非对称马赫‑曾德干涉仪，其设置于第一硅基微环滤波器和第二硅基微环滤波器之间；两个硅基微环滤波器和非对称马赫‑曾德干涉仪上分别加载有热电阻；本发明满足波长可调的同时，实现功率可调，增加可调谐激光器的使用范围。
申请日期	2017-02-21
专利号	CN106785906B
专利状态	授权
申请号	CN201710093979
公开（公告）号	CN106785906B
IPC 分类号	H01S5/14
专利代理人	彭程程
代理机构	武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32491
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉邮电科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	邱英,肖希,陈代高,等. 一种波长可调、功率可调的硅基外腔激光器. CN106785906B[P]. 2019-04-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106785906B.PDF（405KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文