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一种偏振衍射光栅结构
其他题名一种偏振衍射光栅结构
万辰皓; 肖建高; 郭海平; 陈念; 唐霞辉
2018-08-21
专利权人华中科技大学
公开日期2018-08-21
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明公开了一种偏振衍射光栅结构,包括基底层、光栅层,其特征在于:光栅层的各块状区域栅条方向、周期、占空比不同;光栅层位于基底层上方,需经过曝光、显影、刻蚀形成光栅层;本发明可以克服传统偏振衍射光栅参数调整只有一个自由度的缺点,从三个自由度来控制光栅透射光的分布,以达到任意光束的分束/合束功能,其理论分/合束效率达99%,且光栅器件的体积小,可应用在抗反射器、相干偏振合束、测量Stokes参量、生物成像和光通信等领域。
其他摘要本发明公开了一种偏振衍射光栅结构,包括基底层、光栅层,其特征在于:光栅层的各块状区域栅条方向、周期、占空比不同;光栅层位于基底层上方,需经过曝光、显影、刻蚀形成光栅层;本发明可以克服传统偏振衍射光栅参数调整只有一个自由度的缺点,从三个自由度来控制光栅透射光的分布,以达到任意光束的分束/合束功能,其理论分/合束效率达99%,且光栅器件的体积小,可应用在抗反射器、相干偏振合束、测量Stokes参量、生物成像和光通信等领域。
申请日期2016-07-25
专利号CN106019440B
专利状态授权
申请号CN201610588779.2
公开(公告)号CN106019440B
IPC 分类号G02B5/18 | G02B5/30 | G02B27/00 | H01S5/40
专利代理人张建伟
代理机构华中科技大学专利中心
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32464
专题半导体激光器专利数据库
作者单位华中科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
万辰皓,肖建高,郭海平,等. 一种偏振衍射光栅结构. CN106019440B[P]. 2018-08-21.
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CN106019440B.PDF(1304KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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