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一种超辐射发光二极管
其他题名一种超辐射发光二极管
刘占元; 陈硕; 王爱民; 古丽娟
2015-12-30
专利权人国网智能电网研究院
公开日期2015-12-30
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型提供一种超辐射发光二极管,包括壳体、壳体顶部的壳体盖和壳体内的半导体制冷器、热沉、透镜光纤、超辐射发光管芯、热敏电阻和探测器,所述热沉为置于所述半导体制冷器上的密封腔体,所述透镜光纤、所述超辐射发光管芯、所述热敏电阻和所述探测器均置于所述密封腔体内。本实用新型提供的超辐射发光二极管可降低热敏电阻和超辐射发光管芯受外界环境的影响,从而提高超辐射发光二极管的输出光谱稳定性。
其他摘要本实用新型提供一种超辐射发光二极管,包括壳体、壳体顶部的壳体盖和壳体内的半导体制冷器、热沉、透镜光纤、超辐射发光管芯、热敏电阻和探测器,所述热沉为置于所述半导体制冷器上的密封腔体,所述透镜光纤、所述超辐射发光管芯、所述热敏电阻和所述探测器均置于所述密封腔体内。本实用新型提供的超辐射发光二极管可降低热敏电阻和超辐射发光管芯受外界环境的影响,从而提高超辐射发光二极管的输出光谱稳定性。
申请日期2015-09-11
专利号CN204927805U
专利状态授权
申请号CN201520706524.2
公开(公告)号CN204927805U
IPC 分类号H01S5/024 | H01S5/06
专利代理人徐国文
代理机构北京安博达知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32425
专题半导体激光器专利数据库
作者单位国网智能电网研究院
推荐引用方式
GB/T 7714
刘占元,陈硕,王爱民,等. 一种超辐射发光二极管. CN204927805U[P]. 2015-12-30.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN204927805U.PDF(386KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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