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包括具有多能级的三耦合量子阱结构的光学设备
其他题名包括具有多能级的三耦合量子阱结构的光学设备
赵龙哲; 李用卓; 朴昌泳; 罗炳勋; 朴勇和; 周建佑
2018-08-24
专利权人三星电子株式会社
公开日期2018-08-24
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要提供了一种光学设备,其包括具有两个外部势垒和在所述两个外部势垒之间的耦合量子阱的有源层。耦合量子阱包括:第一量子阱层、第二量子阱层、以及第三量子阱层、布置在所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间的第一耦合势垒、以及布置在所述第二量子阱层和所述第三量子阱层之间的第二耦合势垒。第一量子阱层的厚度和第三量子阱层的厚度的每个与第二量子阱层的厚度不同。此外,第一量子阱层的能级和第三量子阱层的能级的每个与第二量子阱层的能级不同。
其他摘要提供了一种光学设备,其包括具有两个外部势垒和在所述两个外部势垒之间的耦合量子阱的有源层。耦合量子阱包括:第一量子阱层、第二量子阱层、以及第三量子阱层、布置在所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间的第一耦合势垒、以及布置在所述第二量子阱层和所述第三量子阱层之间的第二耦合势垒。第一量子阱层的厚度和第三量子阱层的厚度的每个与第二量子阱层的厚度不同。此外,第一量子阱层的能级和第三量子阱层的能级的每个与第二量子阱层的能级不同。
申请日期2014-07-28
专利号CN104638080B
专利状态授权
申请号CN201410363259.2
公开(公告)号CN104638080B
IPC 分类号H01L33/20 | H01S5/34
专利代理人邵亚丽
代理机构北京市柳沈律师事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32393
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三星电子株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
赵龙哲,李用卓,朴昌泳,等. 包括具有多能级的三耦合量子阱结构的光学设备. CN104638080B[P]. 2018-08-24.
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CN104638080B.PDF(1782KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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