GaNFET as energy store for fast laser pulser

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	GaNFET as energy store for fast laser pulser
其他题名	GaNFET as energy store for fast laser pulser
	GASSEND, BLAISE; DROZ, PIERRE-YVES
	2019-04-09
专利权人	WAYMO LLC
公开日期	2019-04-09
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	The present disclosure relates to systems and circuits that may facilitate sub-5 nanosecond laser diode operation. An example system includes a trigger source, a laser diode, a first field effect transistor and a second field effect transistor. The laser diode is coupled to a supply voltage and a drain terminal of the first field effect transistor. A source terminal of the first field effect transistor is coupled to ground and a gate terminal of the first field effect transistor is coupled to the trigger source. A drain terminal of the second field effect transistor is coupled to the supply voltage. A source terminal of the second field effect transistor and a gate terminal of the second field effect transistor are coupled to ground. In an example embodiment, the first field effect transistor and the second field effect transistor comprise gallium nitride (GaN).
其他摘要	本公开涉及可以促进亚5纳秒激光二极管操作的系统和电路。示例系统包括触发源，激光二极管，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。激光二极管耦合到第一场效应晶体管的电源电压和漏极端子。第一场效应晶体管的源极端子耦合到地，并且第一场效应晶体管的栅极端子耦合到触发源。第二场效应晶体管的漏极端子耦合到电源电压。第二场效应晶体管的源极端子和第二场效应晶体管的栅极端子耦合到地。在示例实施例中，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管包括氮化镓（GaN）。
申请日期	2017-11-29
专利号	US10256605
专利状态	授权
申请号	US15/826630
公开（公告）号	US10256605
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/068 \| H01S5/0625
专利代理人	-
代理机构	MCDONNELL BOEHNEN HULBERT & BERGHOFF LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32363
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	WAYMO LLC
推荐引用方式 GB/T 7714	GASSEND, BLAISE,DROZ, PIERRE-YVES. GaNFET as energy store for fast laser pulser. US10256605[P]. 2019-04-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US10256605.PDF（651KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文