Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor laser source | |
其他题名 | Semiconductor laser source |
SCIANCALEPORE, CORRADO; CASALE, MARCO | |
2019-07-02 | |
专利权人 | COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES |
公开日期 | 2019-07-02 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | A semiconductor laser source includes a structured layer formed on a substrate made of silicon and having an upper face. The structured layer includes a passive optical component chosen from the group composed of an optical reflector and a waveguide. The component is encapsulated in silica or produced on a silica layer. At least one pad extends from a lower face of the structured layer, making direct contact with the substrate made of silicon, to an upper face flush with the upper face of the structured layer. The pad is produced entirely from silicon nitride, in order to form a thermal bridge through the structured layer. An optical amplifier is bonded directly above the passive optical component and partially to the upper face of the pad in order to dissipate the heat that it generates to the substrate made of silicon. |
其他摘要 | 半导体激光源包括形成在由硅制成并具有上表面的基板上的结构层。结构化层包括从由光学反射器和波导组成的组中选择的无源光学组件。该组分包封在二氧化硅中或在二氧化硅层上制备。至少一个垫从结构层的下表面延伸,与由硅制成的基板直接接触,到与结构层的上表面齐平的上表面。焊盘完全由氮化硅制成,以便形成穿过结构层的热桥。光学放大器直接粘合在无源光学元件上方,并且部分地粘合到衬垫的上表面,以便将其产生的热量散发到由硅制成的衬底上。 |
申请日期 | 2017-06-29 |
专利号 | US10340656 |
专利状态 | 授权 |
申请号 | US15/636869 |
公开(公告)号 | US10340656 |
IPC 分类号 | H01S5/02 | H01S5/183 | H01S5/026 | H01S5/022 | H01S5/024 | H01S5/042 | H01S5/30 | H01S5/50 |
专利代理人 | - |
代理机构 | OBLON, MCCLELLAND, MAIER & NEUSTADT, L.L.P. |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32354 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES |
推荐引用方式 GB/T 7714 | SCIANCALEPORE, CORRADO,CASALE, MARCO. Semiconductor laser source. US10340656[P]. 2019-07-02. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US10340656.PDF(729KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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