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雷射二極體裝置
其他题名雷射二極體裝置
吳明倬; 林璟暉; 曾正宗; 嚴憲政; 歐思村
2010-08-11
专利权人華信光電科技股份有限公司
公开日期2010-08-11
授权国家中国台湾
专利类型实用新型
摘要本創作係有關一種雷射二極體裝置,尤指一種將自動功率控制(APC,Automatic Power Control)電路,直接設置於雷射二極體晶粒(LD)同一封裝結構內,其包含有:一基座(base);一光檢知器次固定座(PD Submount),用以檢測雷射功率並承載電射二極體晶粒(LD);一APC電路,係將自動功率控制電路設製成電路板或IC式樣以控制雷射功率。前述各單元可用特定之位置安排而整合於同一基座上。此基座不限於傳統金屬封蓋之TO(Transistor Outline)底座,亦可為無封蓋之TO、或導線架(lead frame)、或埠封裝(chip on board)。藉此,省去外加控制電路的麻煩,並達到體積微小,使用方便及成本低廉之功效。
其他摘要本創作係有關一種雷射二極體裝置,尤指一種將自動功率控制(APC,Automatic Power Control)電路,直接設置於雷射二極體晶粒(LD)同一封裝結構內,其包含有:一基座(base);一光檢知器次固定座(PD Submount),用以檢測雷射功率並承載電射二極體晶粒(LD);一APC電路,係將自動功率控制電路設製成電路板或IC式樣以控制雷射功率。前述各單元可用特定之位置安排而整合於同一基座上。此基座不限於傳統金屬封蓋之TO(Transistor Outline)底座,亦可為無封蓋之TO、或導線架(lead frame)、或埠封裝(chip on board)。藉此,省去外加控制電路的麻煩,並達到體積微小,使用方便及成本低廉之功效。
申请日期2010-01-15
专利号TWM386685U
专利状态失效
申请号TW099200832
公开(公告)号TWM386685U
IPC 分类号H01S5/06
专利代理人何崇熙
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32259
专题半导体激光器专利数据库
作者单位華信光電科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
吳明倬,林璟暉,曾正宗,等. 雷射二極體裝置. TWM386685U[P]. 2010-08-11.
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