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具有限制区域的含镓和氮的激光装置
其他题名具有限制区域的含镓和氮的激光装置
波·山·许; 迈尔文·麦克劳林; 詹姆斯·W·拉林; 亚历山大·斯特蔡恩; 本亚明·布勒
2019-10-22
专利权人天空激光二极管有限公司
公开日期2019-10-22
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明提供了具有限制区域的含镓和氮的激光装置。在实例中,本发明提供了一种用于制造激光二极管装置的方法。该方法包括,提供含镓和氮的基板构件,所述含镓和氮的基板构件包括表面区域、覆盖表面区域的释放材料、n型含镓和氮的材料;覆盖n型含镓和氮的材料的有源区域,p型含镓和氮的材料;以及覆盖p型含镓和氮的材料的第一透明导电氧化物材料、和覆盖第一透明导电氧化物材料的界面区域。该方法包括将界面区域与处理基板结合,并使释放材料经由能源以开始含镓和氮的基板构件的释放。
其他摘要本发明提供了具有限制区域的含镓和氮的激光装置。在实例中,本发明提供了一种用于制造激光二极管装置的方法。该方法包括,提供含镓和氮的基板构件,所述含镓和氮的基板构件包括表面区域、覆盖表面区域的释放材料、n型含镓和氮的材料;覆盖n型含镓和氮的材料的有源区域,p型含镓和氮的材料;以及覆盖p型含镓和氮的材料的第一透明导电氧化物材料、和覆盖第一透明导电氧化物材料的界面区域。该方法包括将界面区域与处理基板结合,并使释放材料经由能源以开始含镓和氮的基板构件的释放。
申请日期2014-10-20
专利号CN104836118B
专利状态授权
申请号CN201410559573.8
公开(公告)号CN104836118B
IPC 分类号H01S5/343 | H01S5/10
专利代理人余刚 | 张英
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32187
专题半导体激光器专利数据库
作者单位天空激光二极管有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
波·山·许,迈尔文·麦克劳林,詹姆斯·W·拉林,等. 具有限制区域的含镓和氮的激光装置. CN104836118B[P]. 2019-10-22.
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CN104836118B.PDF(5709KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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