具有共背面电极的面光源VCSEL

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	具有共背面电极的面光源VCSEL
其他题名	具有共背面电极的面光源VCSEL
	谭少阳; 王俊; 吴涛; 刘恒
	2019-10-25
专利权人	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
公开日期	2019-10-25
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提供一种具有共背面电极的面光源VCSEL，其包括：发光芯片、半导体外延层、半导体衬底层、外延面电极、衬底电极、第一背电极以及第二背电极；半导体外延层位于半导体衬底层的正面，发光芯片位于半导体外延层上，发光芯片包括自上而下依次层叠设置的：上DBR层、有源层以及下DBR层，第一背电极和第二背电极位于半导体衬底层的背面，外延面电极一端与上DBR层的上表面相连接，另一端与第一背电极相连接，衬底电极位于半导体外延层上，并与第二背电极相连接。本实用新型的面光源中，正负电极都设置在背面，同时在正面没有金属跳线，如此有利于面光源空间上的垂直集成。
其他摘要	本实用新型提供一种具有共背面电极的面光源VCSEL，其包括：发光芯片、半导体外延层、半导体衬底层、外延面电极、衬底电极、第一背电极以及第二背电极；半导体外延层位于半导体衬底层的正面，发光芯片位于半导体外延层上，发光芯片包括自上而下依次层叠设置的：上DBR层、有源层以及下DBR层，第一背电极和第二背电极位于半导体衬底层的背面，外延面电极一端与上DBR层的上表面相连接，另一端与第一背电极相连接，衬底电极位于半导体外延层上，并与第二背电极相连接。本实用新型的面光源中，正负电极都设置在背面，同时在正面没有金属跳线，如此有利于面光源空间上的垂直集成。
申请日期	2018-12-29
专利号	CN209544385U
专利状态	授权
申请号	CN201822268789.5
公开（公告）号	CN209544385U
IPC 分类号	H01L33/38 \| H01L33/00
专利代理人	杨淑霞
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32180
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	谭少阳,王俊,吴涛,等. 具有共背面电极的面光源VCSEL. CN209544385U[P]. 2019-10-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN209544385U.PDF（223KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文