低温生长铝镓砷光折变效应的研究

doi:10.7498/aps.68.20190459

OPT OpenIR > 条纹相机工程中心

	低温生长铝镓砷光折变效应的研究
其他题名	Photorefractive effect of low-temperature-grown aluminum gallium arsenide
	钟梓源 1,2; 何凯1 ; 苑云 3; 汪韬1 ; 高贵龙 1; 闫欣1 ; 李少辉 1; 尹飞1 ; 田进寿1,4
作者部门	条纹相机工程中心
	2019-08-20
发表期刊	物理学报
ISSN	1000-3290
卷号	68 期号:16
产权排序	1
摘要	三元化合物铝镓砷（AlGaAs）是一种可用于全光固体超快诊断技术的重要材料.基于低温外延技术的AlGaAs材料不仅具有低温生长砷化镓（low-temperature grown GaAs, LT-GaAs）超短载流子寿命的特点,并且可以调整材料的禁带宽度,为超快诊断系统的设计增加了极大的灵活性.泵浦-探测实验结果表明,低温外延生长可以有效加速AlGaAs材料的非平衡载流子复合,非平衡载流子弛豫时间小于300 fs,而非平衡载流子的复合时间低至2.08 ps.由于经过特殊的钝化工艺处理,极大地降低了表面复合对载流子衰退过程的影响,而低温外延生长引入的As原子团簇,形成了深能级缺陷,是加速载流子复合的主要因素.基于单复合中心的间接复合理论,建立LT-AlGaAs载流子演化模型,获得与复合速率相关的关键物理参量:载流子俘获面积δe=6.6×10-14 cm2, δh=4.7×10-15 cm2,计算结果与实验相符.该方法可用于半导体材料载流子演化特性定量分析,有助于推进超快响应半导体材料的优化改进.
关键词	光折变铝镓砷泵浦-探测载流子寿命
DOI	10.7498/aps.68.20190459
收录类别	SCI ; EI ; CSCD
语种	中文
WOS记录号	WOS:000483384000028
CSCD记录号	CSCD:6566887
EI入藏号	20194207561283
引用统计	被引频次：4[WOS] [WOS记录] [WOS相关记录]
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31842
专题	条纹相机工程中心
通讯作者	何凯
作者单位	1.中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室 2.中国科学院大学 3.火箭军研究院 4.山西大学极端光学协同创新中心
第一作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
通讯作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	钟梓源,何凯,苑云,等. 低温生长铝镓砷光折变效应的研究[J]. 物理学报,2019,68(16).
APA	钟梓源.,何凯.,苑云.,汪韬.,高贵龙.,...&田进寿.(2019).低温生长铝镓砷光折变效应的研究.物理学报,68(16).
MLA	钟梓源,et al."低温生长铝镓砷光折变效应的研究".物理学报 68.16(2019).

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