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基于韦布尔分布和对数正态分布的高功率半导体激光器寿命估计和失效分析研究
其他题名High power semiconductor laser lifetime prediction and failure analysis based on Weibull and Log-normal distribution
聂志强1; 王明培1,2; 孙玉博1,2; 李小宁3; 吴迪3
作者部门瞬态光学研究室
2019-04-25
发表期刊红外与激光工程
ISSN10072276
卷号48期号:S1
产权排序1
摘要

分别采用韦布尔分布和对数分布模型对额定功率60 W(CW条件下)的808 nm铟焊料封装的传导冷却型单巴高功率半导体激光器在恒定电流条件下进行的三个不同温度的加速老化试验数据进行分析并估计了常温下的寿命。在韦布尔分布统计分析中计算了各温度下器件的特征寿命和统计平均寿命,发现早期失效情况下形状参数小于1且数学平均寿命的计算方法误差加大,不如使用统计平均的方法。在对数分布统计分析中计算了各温度下器件的中位寿命和统计平均寿命,发现早期失效下的对数标准差较大且影响统计平均寿命的计算,这种情况不适合用对数正态分布估计寿命。最后对不同时期的加速寿命器件进行了失效分析。

DOI10.3788/IRLA201948.S105003
收录类别EI
语种中文
EI入藏号20192306999652
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31539
专题瞬态光学研究室
作者单位1.中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点试验室;
2.中国科学院大学;
3.西安炬光科技股份有限公司
第一作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
聂志强,王明培,孙玉博,等. 基于韦布尔分布和对数正态分布的高功率半导体激光器寿命估计和失效分析研究[J]. 红外与激光工程,2019,48(S1).
APA 聂志强,王明培,孙玉博,李小宁,&吴迪.(2019).基于韦布尔分布和对数正态分布的高功率半导体激光器寿命估计和失效分析研究.红外与激光工程,48(S1).
MLA 聂志强,et al."基于韦布尔分布和对数正态分布的高功率半导体激光器寿命估计和失效分析研究".红外与激光工程 48.S1(2019).
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