大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源

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	大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源
	汤洁; 段忆翔; 赵卫; 王屹山; 李静; 张同意; 王静
	2016-12-22
公开日期	2017-04-26
授权国家	中国
专利类型	发明
摘要	本发明提出一种大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源，更大程度地提高了该类型离子源的电离效率、离子传输效率，以及工作的稳定性。该大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源，在腔体轴向外围且更接近出气端口、避开直流放电电极设置有一对隔着腔体平行相对的长方体永久磁体，磁场B1覆盖直流放电区域，磁场B1方向与直流放电区域的电流J垂直，且J×B1沿气体流动方向；沿腔体轴向同轴依次设置有两个同规格的环形永久磁体，使得两个环形永久磁体形成匀强磁场B2覆盖直流放电区域以及出气端口下游的等离子体射流区域，匀强磁场B2方向与腔体以及环形永久磁体的轴向一致。
主权项	0001.1.大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源，包括具有进气端口、出气端口的腔体和一对直流放电电极，腔体的腔壁为绝缘材料；直流放电电极的放电端更接近出气端口；腔体内直流放电区域的横截面积不大于1mm2；其特征在于：在腔体轴向外围且更接近出气端口、避开直流放电电极设置有一对隔着腔体平行相对的长方体永久磁体，磁场B1覆盖直流放电区域，磁场B1方向与直流放电区域的电流J垂直，且J×B1沿气体流动方向；沿腔体轴向同轴依次设置有两个同规格的环形永久磁体，其中一个环形永久磁体套在腔体外围并位于直流放电区域的进气侧，另一个环形永久磁体位于出气端口下游，两个环形永久磁体之间间距与环形永久磁体自身的半径相等，使得两个环形永久磁体形成匀强磁场B2覆盖直流放电区域以及出气端口下游的等离子体射流区域，匀强磁场B2方向与腔体以及环形永久磁体的轴向一致。
授权日期	2017-05-24
专利号	CN201611198585.8
语种	中文
专利状态	审查中-实审
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/29567
专题	瞬态光学研究室
作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	汤洁,段忆翔,赵卫,等. 大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源. CN201611198585.8[P]. 2016-12-22.

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