| 大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源 |
| 汤洁; 段忆翔; 赵卫; 王屹山; 李静; 张同意; 王静
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| 2016-12-22
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公开日期 | 2017-04-26
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 本发明提出一种大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源,更大程度地提高了该类型离子源的电离效率、离子传输效率,以及工作的稳定性。该大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源,在腔体轴向外围且更接近出气端口、避开直流放电电极设置有一对隔着腔体平行相对的长方体永久磁体,磁场B1覆盖直流放电区域,磁场B1方向与直流放电区域的电流J垂直,且J×B1沿气体流动方向;沿腔体轴向同轴依次设置有两个同规格的环形永久磁体,使得两个环形永久磁体形成匀强磁场B2覆盖直流放电区域以及出气端口下游的等离子体射流区域,匀强磁场B2方向与腔体以及环形永久磁体的轴向一致。 |
主权项 | 0001.1.大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源,包括具有进气端口、出气端口的腔体和一对直流放电电极,腔体的腔壁为绝缘材料;直流放电电极的放电端更接近出气端口;腔体内直流放电区域的横截面积不大于1mm2;其特征在于:
在腔体轴向外围且更接近出气端口、避开直流放电电极设置有一对隔着腔体平行相对的长方体永久磁体,磁场B1覆盖直流放电区域,磁场B1方向与直流放电区域的电流J垂直, 且J×B1沿气体流动方向;
沿腔体轴向同轴依次设置有两个同规格的环形永久磁体,其中一个环形永久磁体套在腔体外围并位于直流放电区域的进气侧,另一个环形永久磁体位于出气端口下游,两个环形永久磁体之间间距与环形永久磁体自身的半径相等,使得两个环形永久磁体形成匀强磁场B2覆盖直流放电区域以及出气端口下游的等离子体射流区域,匀强磁场B2方向与腔体以及环形永久磁体的轴向一致。 |
授权日期 | 2017-05-24
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专利号 | CN201611198585.8
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语种 | 中文
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专利状态 | 审查中-实审
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/29527
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专题 | 瞬态光学研究室
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作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
汤洁,段忆翔,赵卫,等. 大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源. CN201611198585.8[P]. 2016-12-22.
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