采用纳米银焊膏烧结互连技术的中高压IGBT模块及其性能表征

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	采用纳米银焊膏烧结互连技术的中高压IGBT模块及其性能表征
	梅云辉 1,2; 冯晶晶 1; 王晓敏 1; 陆国权 1; 张朋 3; 林仲康 3
作者部门	瞬态光学技术国家重点实验室
	2017-10-13
发表期刊	高电压技术
ISSN	1003-6520
期号	10 页码:3307-3312
产权排序	2
收录类别	GCJC
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/29467
专题	瞬态光学研究室
作者单位	1.天津大学材料科学与工程学院 2.中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室 3.全球能源互联网研究院
第一作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	梅云辉,冯晶晶,王晓敏,等. 采用纳米银焊膏烧结互连技术的中高压IGBT模块及其性能表征[J]. 高电压技术,2017(10):3307-3312.
APA	梅云辉,冯晶晶,王晓敏,陆国权,张朋,&林仲康.(2017).采用纳米银焊膏烧结互连技术的中高压IGBT模块及其性能表征.高电压技术(10),3307-3312.
MLA	梅云辉,et al."采用纳米银焊膏烧结互连技术的中高压IGBT模块及其性能表征".高电压技术 .10(2017):3307-3312.