| 一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法 |
| 王浩静; 李涛涛; 王红飞; 刘欢; 杨利青; 胡炜杰
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| 2013-08-30
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| 专利权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所
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| 公开日期 | 2013-12-18
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 产权排序 | 1
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| 摘要 | 本发明涉及一种多孔氧化物半导体纳米薄膜的制备方法。其技术方案是，使用共溅射技术，采用氧化物半导体靶材（或相应金属靶材）和造孔剂靶材，在Ar或者Ar、O2混合气氛下，在基底表面同时或者交替沉积薄膜，预制成具有氧化物／造孔剂两种物相的复合纳米薄膜。预制的复合薄膜在经过水洗后，造孔剂被溶解，得到多孔的纳米薄膜。最后将薄膜烘干，进行退火处理，能得到结晶性好、高取向、高孔隙度的纳米薄膜。 |
| 申请日期 | 2013-08-30
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| 专利号 | CN103451609
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| 申请号 | CN201310390421
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/21481
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| 专题 | 复合材料与器件先进制造研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王浩静,李涛涛,王红飞,等. 一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法. CN103451609[P]. 2013-08-30.
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