Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体光电阴极中多光子光电发射现象的研究 | |
| 王力鸣 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 侯洵 |
| 1990 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所. |
| 学位专业 | 光学 |
| 摘要 | 本课题为国家自然科学基金资助的课题，专门研究半导体光电阴极中多光子光电发射特性。为此，我们组建了多光子光电发射的测量系统，包括激光器和一系列测量设备。为激活半导体光电阴极，我们还设计制作的一套用于激活III-V族半导体光电阴极的超高真空系统，全部采用国产泵，真空度达6 * 10~(-10)torr，在其中进行了多次激活实验，在我所MOCVD外延片上激活的GaAs(Cs, 0)光电阴极的积分灵敏度约550μA/lm。在1.25μmGaInAsP外延片上激活的结果在1.06μm处量子效率为0.4%。在GaAs(Cs, 0）阴极上，我们用转镜调Q的Er，Tm，Ho；YLF脉冲激光器输出的2.06μm(hω = 0.602ev)脉冲激光研究了其三光子光电发射效应，并对发射特性进行了仔细的研究。如用液氮冷却阴极抑制热发射、观察光电发射脉冲波形等。此外，我们还在Cs，Sb阴极上观察到四光子和五光子光电发射现象并进行详细地研究。在理论上我们用微扰理论得到NEA GaAs光电阴极中的三光子光电发射公式，在Keldysh固体中多光子吸收理论的基础上推导了任意阶多光子光电发射公式，这些理论计算值与我们测量值进行的比较表明，两者数值上吻合较好。为更精确地理解光电发射过程。我们还作了两方面工作：1）介绍和推导了用赝势理论数值计算固体中的多光子吸收系数整个步骤；2）用Monte Carlo方法模拟光电发射过程并将其方法引入多光子光电发射的研究。另外，本文还对固体中的多光电子发射现象的研究和光电阴极向红外扩展的历史和现状作了系统的评述。本工作的研究结果一部分已经在国内外的学术会议上发表，另一些正待在学术杂志上发表，其它一些结果正在整理以供发表。 |
| 学科领域 | 光学 |
| 页数 | 99 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12666 |
| 专题 | 中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王力鸣. 半导体光电阴极中多光子光电发射现象的研究[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.,1990. |
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