Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
反射式NEA GaAs光电阴极制备工艺探讨 | |
江丕苏 | |
学位类型 | 硕士 |
导师 | 侯洵 |
1985 | |
学位授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所. |
学位专业 | 电子物理和离子束物理 |
摘要 | 本文对反射式NEA GaAs光电阴极制备工艺进行了实验研究。其中包括激活材料、表面清洁和激活过程。研究了银管渗透氧源的性能。研究了多孔钨铯离子源及其性能。实验结果表明,这种离子源性能良好。对几种GaAs片予处理配方进行了比较。用多因素正交实验法对予处理过程中的各因素进行了分析。设计了光辐射加热系统。将晶片的加热清洁过程分为三步:去表面吸附物,去氧化层和去残余杂质。将获得清洁表面的加热过程表示为:HC = (300 ℃, 5分,n_1) + (560 ℃, 30秒,n_2) + (610 ℃, v, 3)。采用光辐射加热清洁方法,用银管氧源和多孔钨铯离子源对GaAs进行了初步的激活试验。 |
学科领域 | 电子物理和离子束物理 |
页数 | 108 |
语种 | 中文 |
文献类型 | 学位论文 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12512 |
专题 | 中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 江丕苏. 反射式NEA GaAs光电阴极制备工艺探讨[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.,1985. |
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