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STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 1995, 卷号: 14, 期号: 14, 页码: 1004-1006
作者:  ZHAO, JL;  GAO, Y;  LIU, XY;  DOU, K;  HUANG, SH;  YU, JQ;  LIANG, JC;  GAO, HK
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