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Watt-level passively Q-switched and mode-locked Nd:YAG laser with a reflective MoS2 saturable absorber 期刊论文
OPTICS AND LASER TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 108, 页码: 355-359
作者:  Zeng, Yingjie;  Wang, Yonggang;  Ren, Wei;  Wang, HongYing;  Fu, Fuxing;  Wang, Xi;  Zheng, Qiqi;  Chen, Zhendong;  Wei, Lianglei;  Yang, Xiguang;  Wang, Jiang
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Nd:Yag  Mos2  Saturable Absorber  Q-switched Mode-locked  
半导体激光器装置及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1241306C, 申请日期: 2006-02-08, 公开日期: 2006-02-08
发明人:  森本泰司;  宫崎启介;  辰巳正毅;  和田一彦;  上田祯亮
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半导体激光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1705178A, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2005-12-07
发明人:  和田一彦;  宫嵜启介;  森本泰司;  辰巳正毅;  上田祯亮
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半导体激光器设备及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1501557A, 申请日期: 2004-06-02, 公开日期: 2004-06-02
发明人:  上田祯亮;  宫嵜启介;  和田一彦;  辰巳正毅;  森本泰司
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