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Semiconductor device with epitaxially grown active layer adjacent an optically passive region 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: GB2507513A, 申请日期: 2014-05-07, 公开日期: 2014-05-07
发明人:  LUKAS CZORNOMAZ;  MIRJA RICHTER;  HEIKE E. RIEL;  JENS HOFRICHTER
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Semiconductor device with epitaxially grown active layer adjacent a subsequently grown optically passive region 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: GB2507512A, 申请日期: 2014-05-07, 公开日期: 2014-05-07
发明人:  LUKAS CZORNOMAZ;  MIRJA RICHTER;  HEIKE E. RIEL;  JENS HOFRICHTER
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