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VERFAHREN ZUM STEUERN EINES OPTISCHEN MODULS, OPTISCHE MODULEINHEIT UND OPTISCHES MODUL 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: DE112017006195T5, 申请日期: 2019-10-02, 公开日期: 2019-10-02
发明人:  ENYA YOHEI;  NAKANISHI HIROMI
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Semiconductor device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US9231375, 申请日期: 2016-01-05, 公开日期: 2016-01-05
发明人:  TASAI, KUNIHIKO;  NAKAJIMA, HIROSHI;  FUTAGAWA, NORIYUKI;  YANASHIMA, KATSUNORI;  ENYA, YOHEI;  KUMANO, TETSUYA;  KYONO, TAKASHI
Adobe PDF(1173Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2020/01/18
III-nitride semiconductor laser device and method for fabricating III-nitride semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8953656, 申请日期: 2015-02-10, 公开日期: 2015-02-10
发明人:  KYONO, TAKASHI;  TAKAGI, SHIMPEI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  UENO, MASAKI;  YANASHIMA, KATSUNORI
Adobe PDF(1950Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2019/12/26
Group III nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating group III nitride semiconductor light emitting device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8872156, 申请日期: 2014-10-28, 公开日期: 2014-10-28
发明人:  YONEMURA, TAKUMI;  KYONO, TAKASHI;  ENYA, YOHEI
Adobe PDF(1730Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/12/24
Gallium nitride based semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same, gallium nitride based light-emitting diode, epitaxial wafer, and method for fabricating gallium nitride light-emitting diode 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8488642, 申请日期: 2013-07-16, 公开日期: 2013-07-16
发明人:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI
Adobe PDF(858Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2019/12/24
Gallium nitride-based semiconductor laser device, and method for fabricating gallium nitride-based semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8477818, 申请日期: 2013-07-02, 公开日期: 2013-07-02
发明人:  KUMANO, TETSUYA;  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI;  ENYA, YOHEI;  YANASHIMA, KATSUNORI;  TASAI, KUNIHIKO;  NAKAJIMA, HIROSHI
Adobe PDF(1773Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2019/12/26
Group III nitride semiconductor element and epitaxial wafer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8391327, 申请日期: 2013-03-05, 公开日期: 2013-03-05
发明人:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  UENO, MASAKI;  NAKANISHI, FUMITAKE
Adobe PDF(453Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2019/12/26
Gallium nitride-based semiconductor optical device, method of fabricating gallium nitride-based semiconductor optical device, and epitaxial wafer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8228963, 申请日期: 2012-07-24, 公开日期: 2012-07-24
发明人:  ENYA, YOHEI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  OSADA, HIDEKI;  ISHIBASHI, KEIJI;  AKITA, KATSUSHI;  UENO, MASAKI
Adobe PDF(354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/12/26
Method for producing nitride semiconductor optical device and epitaxial wafer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8183071, 申请日期: 2012-05-22, 公开日期: 2012-05-22
发明人:  AKITA, KATSUSHI;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  UENO, MASAKI;  NAKAMURA, TAKAO
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/12/24
Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7933303, 申请日期: 2011-04-26, 公开日期: 2011-04-26
发明人:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  ADACHI, MASAHIRO;  AKITA, KATSUSHI;  UENO, MASAKI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  TOKUYAMA, SHINJI;  KATAYAMA, KOJI;  NAKAMURA, TAKAO;  IKEGAMI, TAKATOSHI
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