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氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110036144A, 申请日期: 2019-07-19, 公开日期: 2019-07-19
发明人:  藤原康文;  朱婉新;  小泉淳;  布兰登·米切尔;  汤姆·格雷戈尔凯维奇
Adobe PDF(1177Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：143/0  |  提交时间：2020/01/18
锆盐原料不同对LiZr2（PO4）3锂离子固体电解质结构及性能的影响 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: 1298-1303
作者:  李文龙;  刘欢;  袁康;  杨利青;  周倩倩;  王浩静;  张洪
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LiZr2（PO4）3  锂离子固体电解质  离子电导率  锂离子二次电池  
Li10GeP2S12 基锂离子固态电解质的制备及性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者:  袁康
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Lgps  固态电解质  掺杂  离子电导率  
半导体激光器元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102904156A, 申请日期: 2013-01-30, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  本乡一泰;  福元康司
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取向生长用基底 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1316070C, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2007-05-16
发明人:  罗伯特・德维林斯基;  罗曼・多兰特金斯基;  耶日・加尔金斯基;  莱择克・P・西尔兹普托夫斯基;  神原康雄
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外延襯底及其製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: HK1083030A, 申请日期: 2006-06-23, 公开日期: 2006-06-23
发明人:  羅伯特‧德維林斯基;  羅曼‧多拉津斯基;  耶日‧加爾欽斯基;  萊謝克‧西爾兹普托夫斯基;  神原康雄
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/12/31
外延衬底及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1723303A, 申请日期: 2006-01-18, 公开日期: 2006-01-18
发明人:  罗伯特・德维林斯基;  罗曼・多拉津斯基;  耶日・加尔钦斯基;  莱谢克・西尔兹普托夫斯基;  神原康雄
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氮化物半导体激光装置以及提高其功能的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1663088A, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2005-08-31
发明人:  罗伯特・德维林斯基;  勒曼・多拉津斯基;  耶日・加尔钦斯基;  莱谢克・P・谢尔斯普托夫斯基;  神原康雄
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半導體激光器及劈開方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: HK1018126A, 申请日期: 2004-08-27, 公开日期: 2004-08-27
发明人:  木戶口勛;  足立秀人;  熊渕康仁
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半导体激光器及劈开方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1129218C, 申请日期: 2003-11-26, 公开日期: 2003-11-26
发明人:  木户口勳;  足立秀人;  熊渕康仁
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