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LP-MOCVD growth and characterisation of InAsSb ternary 期刊论文
Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 45-49
作者:  Li XT(李晓婷);  Li XT(李晓婷)
Adobe PDF(448Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：476/2  |  提交时间：2010/01/12