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一种液压内泄露检测装置及使用该装置的检测方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN108374816B, 申请日期: 2019-10-29, 公开日期: 2019-10-29
发明人:  罗春雷;  夏毅敏;  梁健明;  张曰东;  莫鑫;  沙浩;  李金洋
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基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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一种温度控制DS-DBR可调谐激光器波长检测装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209418984U, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
发明人:  张建平;  黄沃彬;  刘东昌;  谢建毫
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一种垂直腔半导体光放大器,光放大系统及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110265874A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
发明人:  张星;  吴昊;  张建伟
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波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110265868A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
发明人:  乔丽君;  柴萌萌;  张明江;  张建忠;  王涛;  徐浩;  杨强
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一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  刘从军;  王兴;  张海超;  岳宗豪;  许众;  赵赫;  王凡;  高晨
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一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  刘从军;  王兴;  张海超;  岳宗豪;  许众;  赵赫;  王凡;  高晨
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