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基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105758626A, 申请日期: 2016-07-13, 公开日期: 2016-07-13
发明人:  关宝璐;  杨嘉炜;  潘冠中;  刘振扬;  李鹏涛
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一种852nm超窄线宽外腔半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105529613A, 申请日期: 2016-04-27, 公开日期: 2016-04-27
发明人:  关宝璐;  潘冠中;  刘储;  徐晨;  李鹏涛;  刘振杨;  杨嘉炜
Adobe PDF(424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：123/1  |  提交时间：2019/12/31