中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 4
作者:  Li, Jin-Lun;  Cui, Shao-Hui;  Xu, Jian-Xing;  Cui, Xiao-Ran;  Guo, Chun-Yan;  Ma, Ben;  Ni, Hai-Qiao;  Niu, Zhi-Chuan;  Ni, HQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1077Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：251/0  |  提交时间：2018/05/14
Thz Detector  High Electron Mobility Transistor  Two-dimensional Electron Gas  Inp