中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD 电流非注入吸收区的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107706740A, 申请日期: 2018-02-16, 公开日期: 2018-02-16
发明人:  张晶;  祝子翔;  乔忠良;  高欣;  薄报学;  李辉;  王宪涛;  魏志鹏;  马晓辉;  孙春明;  陈锋
Adobe PDF(76Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2020/01/18