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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103078252A, 申请日期: 2013-05-01, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  邢军亮;  张宇;  王国伟;  王娟;  王丽娟;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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