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半导体激光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102005700A, 申请日期: 2011-04-06, 公开日期: 2011-04-06
发明人:  玄永康一;  田中宏和;  弓削省三;  河本聪;  盐泽秀夫
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半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009016566A, 申请日期: 2009-01-22, 公开日期: 2009-01-22
发明人:  弓削 省三
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GaN系化合物半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998075019A, 申请日期: 1998-03-17, 公开日期: 1998-03-17
发明人:  弓 削 省 三;  菅 原 秀 人
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