中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
不同偏振态光镊三维光阱刚度的比较研究 期刊论文
光子学报, 2019, 卷号: 48, 期号: 7
作者:  曹志良;  梁言生;  严绍辉;  周源;  蔡亚楠;  雷铭;  李曼曼;  姚保利
Adobe PDF(6421Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：158/2  |  提交时间：2019/09/02
具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
发明人:  陈辰;  宋杰;  崔周源
Adobe PDF(765Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2019/12/26
具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
发明人:  陈辰;  宋杰;  崔周源
Adobe PDF(765Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2019/12/26
半导体晶片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208970547U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
发明人:  陈辰;  宋杰;  崔周源
Adobe PDF(493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2019/12/26
半导体晶片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208970547U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
发明人:  陈辰;  宋杰;  崔周源
Adobe PDF(493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2019/12/26
具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109378369A, 申请日期: 2019-02-22, 公开日期: 2019-02-22
发明人:  陈辰;  宋杰;  崔周源
Adobe PDF(854Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2020/01/18
半导体晶片及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109378368A, 申请日期: 2019-02-22, 公开日期: 2019-02-22
发明人:  陈辰;  宋杰;  崔周源
Adobe PDF(560Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2020/01/18