Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光调制器的制造方法以及光调制器 | |
| 其他题名 | 光调制器的制造方法以及光调制器 |
| 柴田公隆 | |
| 2014-03-26 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2014-03-26 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种光调制器的制造方法以及光调制器。是具备激光二极管部以及EAM部（20）的光调制器的制造方法。在半导体衬底（100）上设置作为用于制造激光二极管部的半导体层的LD生长层。在半导体衬底（100）上设置用于形成EAM部（20）的EAM吸收层（120）。测定EAM吸收层（120）的光致发光波长。蚀刻LD生长层而形成带构造部。以LD部（30）的振荡波长与EAM部（20）的光致发光波长之差接近设计值的方式设计带构造部的宽度。从而能够高精度地进行用于降低激光二极管部的振荡波长与电场吸收型调制部的光致发光波长的设计值的差异的调节。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种光调制器的制造方法以及光调制器。是具备激光二极管部以及EAM部（20）的光调制器的制造方法。在半导体衬底（100）上设置作为用于制造激光二极管部的半导体层的LD生长层。在半导体衬底（100）上设置用于形成EAM部（20）的EAM吸收层（120）。测定EAM吸收层（120）的光致发光波长。蚀刻LD生长层而形成带构造部。以LD部（30）的振荡波长与EAM部（20）的光致发光波长之差接近设计值的方式设计带构造部的宽度。从而能够高精度地进行用于降低激光二极管部的振荡波长与电场吸收型调制部的光致发光波长的设计值的差异的调节。 |
| 申请日期 | 2013-09-18 |
| 专利号 | CN103682978A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201310427136.6 |
| 公开（公告）号 | CN103682978A |
| IPC 分类号 | H01S5/026 | H01S5/06 |
| 专利代理人 | 何欣亭 | 王忠忠 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93165 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田公隆. 光调制器的制造方法以及光调制器. CN103682978A[P]. 2014-03-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103682978A.PDF（898KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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