Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
高能电子注入式半导体激光器 | |
其他题名 | 高能电子注入式半导体激光器 |
蔡元学; 姜春香 | |
2015-11-25 | |
专利权人 | 天津博霆科技有限公司 |
公开日期 | 2015-11-25 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明属于仪器设备技术领域,尤其涉及一种高能电子注入式半导体激光器,所述套管内设有谐振腔、回气腔、放电腔,所述回气腔内部设有储气套管,所述储气套管上设有贮气瓶、镇气瓶、气压监测器,所述贮气瓶、镇气瓶之间设有电磁真空充气阀,所述镇气瓶、气压检测器之间设有波纹管,所述气压检测器部分位于所述回气腔内,部分穿过回气腔位于所述回气腔外面,所述导体阳极由外及内依次为上电极、上光限制层、上波导层、下波导层、下光限制层、背电极层,所述上波导层、下波导层之间设有有源层,所述下光限制层、背电极层之间设有衬底,所述上光限制层的截面形状为脊波导。 |
其他摘要 | 本发明属于仪器设备技术领域,尤其涉及一种高能电子注入式半导体激光器,所述套管内设有谐振腔、回气腔、放电腔,所述回气腔内部设有储气套管,所述储气套管上设有贮气瓶、镇气瓶、气压监测器,所述贮气瓶、镇气瓶之间设有电磁真空充气阀,所述镇气瓶、气压检测器之间设有波纹管,所述气压检测器部分位于所述回气腔内,部分穿过回气腔位于所述回气腔外面,所述导体阳极由外及内依次为上电极、上光限制层、上波导层、下波导层、下光限制层、背电极层,所述上波导层、下波导层之间设有有源层,所述下光限制层、背电极层之间设有衬底,所述上光限制层的截面形状为脊波导。 |
申请日期 | 2014-05-19 |
专利号 | CN105098592A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN201410209979.3 |
公开(公告)号 | CN105098592A |
IPC 分类号 | H01S5/02 | H01S5/06 | H01S5/22 | H01S5/024 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93138 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 天津博霆科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡元学,姜春香. 高能电子注入式半导体激光器. CN105098592A[P]. 2015-11-25. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN105098592A.PDF(277KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[蔡元学]的文章 |
[姜春香]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[蔡元学]的文章 |
[姜春香]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[蔡元学]的文章 |
[姜春香]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论