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高能电子注入式半导体激光器
其他题名高能电子注入式半导体激光器
蔡元学; 姜春香
2015-11-25
专利权人天津博霆科技有限公司
公开日期2015-11-25
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明属于仪器设备技术领域,尤其涉及一种高能电子注入式半导体激光器,所述套管内设有谐振腔、回气腔、放电腔,所述回气腔内部设有储气套管,所述储气套管上设有贮气瓶、镇气瓶、气压监测器,所述贮气瓶、镇气瓶之间设有电磁真空充气阀,所述镇气瓶、气压检测器之间设有波纹管,所述气压检测器部分位于所述回气腔内,部分穿过回气腔位于所述回气腔外面,所述导体阳极由外及内依次为上电极、上光限制层、上波导层、下波导层、下光限制层、背电极层,所述上波导层、下波导层之间设有有源层,所述下光限制层、背电极层之间设有衬底,所述上光限制层的截面形状为脊波导。
其他摘要本发明属于仪器设备技术领域,尤其涉及一种高能电子注入式半导体激光器,所述套管内设有谐振腔、回气腔、放电腔,所述回气腔内部设有储气套管,所述储气套管上设有贮气瓶、镇气瓶、气压监测器,所述贮气瓶、镇气瓶之间设有电磁真空充气阀,所述镇气瓶、气压检测器之间设有波纹管,所述气压检测器部分位于所述回气腔内,部分穿过回气腔位于所述回气腔外面,所述导体阳极由外及内依次为上电极、上光限制层、上波导层、下波导层、下光限制层、背电极层,所述上波导层、下波导层之间设有有源层,所述下光限制层、背电极层之间设有衬底,所述上光限制层的截面形状为脊波导。
申请日期2014-05-19
专利号CN105098592A
专利状态失效
申请号CN201410209979.3
公开(公告)号CN105098592A
IPC 分类号H01S5/02 | H01S5/06 | H01S5/22 | H01S5/024
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93138
专题半导体激光器专利数据库
作者单位天津博霆科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
蔡元学,姜春香. 高能电子注入式半导体激光器. CN105098592A[P]. 2015-11-25.
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CN105098592A.PDF(277KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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