Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器 | |
其他题名 | 一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器 |
王正平 | |
2015-12-16 | |
专利权人 | 山东大学 |
公开日期 | 2015-12-16 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 实用新型 |
摘要 | 本实用新型涉及一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,包括依次沿光路安放的半导体激光泵浦源、谐振腔入射镜、可饱和吸收片、自倍频激光晶体及谐振腔输出镜,自倍频激光晶体为Nd:CNGS晶体或Nd:CTGS晶体,Nd:CNGS晶体或Nd:CTGS晶体的通光方向长度为(0.1-100)mm,切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向,钕离子掺杂浓度为(0.1–30)at.%。这两种晶体同时具有激光发射和非线性光学效应,受激发射截面适中,本实用新型采用一块自倍频激光晶体替代激光晶体和非线性晶体,制成的激光器体积更小,结构更加紧凑,生产成本大大降低,同时也简化了加工和装配环节,提高了生产效率。 |
其他摘要 | 本实用新型涉及一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器,包括依次沿光路安放的半导体激光泵浦源、谐振腔入射镜、可饱和吸收片、自倍频激光晶体及谐振腔输出镜,自倍频激光晶体为Nd:CNGS晶体或Nd:CTGS晶体,Nd:CNGS晶体或Nd:CTGS晶体的通光方向长度为(0.1-100)mm,切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向,钕离子掺杂浓度为(0.1–30)at.%。这两种晶体同时具有激光发射和非线性光学效应,受激发射截面适中,本实用新型采用一块自倍频激光晶体替代激光晶体和非线性晶体,制成的激光器体积更小,结构更加紧凑,生产成本大大降低,同时也简化了加工和装配环节,提高了生产效率。 |
申请日期 | 2015-08-24 |
专利号 | CN204885812U |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN201520640941 |
公开(公告)号 | CN204885812U |
IPC 分类号 | H01S3/11 | H01S3/109 |
专利代理人 | 杨树云 |
代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93129 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 山东大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王正平. 一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器. CN204885812U[P]. 2015-12-16. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN204885812U.PDF(680KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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