一种宽温度范围的DFB激光器及其制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种宽温度范围的DFB激光器及其制备方法
其他题名	一种宽温度范围的DFB激光器及其制备方法
	单智发; 张永; 姜伟; 陈阳华
	2019-09-17
专利权人	全磊光电股份有限公司
公开日期	2019-09-17
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种宽温度范围的DFB激光器，该DFB激光器的外延层结构包括非InP基板，所述非InP基板上依次层叠设置有N型连接层、光栅掩埋层、N型光栅层、N型限制层、下波导层、量子阱、上波导层、P型上限制层、P型腐蚀阻挡层、P型连接层、第一P型势垒渐变层、第二P型势垒渐变层和P型欧姆接触层。该激光器所采用的光栅为N型半导体材料，使得N光栅的DFB激光器具有更低的激射阈值和更小的寄生电阻，可在更宽的温度范围内工作；采用采用倒装式外延生长方式，先生长P型层，再生长N型光栅制作层，量子阱层在制备光栅层之前的处延过程中生长，材料界面平整，材料质量好，缺陷密度小。
其他摘要	本发明提供一种宽温度范围的DFB激光器，该DFB激光器的外延层结构包括非InP基板，所述非InP基板上依次层叠设置有N型连接层、光栅掩埋层、N型光栅层、N型限制层、下波导层、量子阱、上波导层、P型上限制层、P型腐蚀阻挡层、P型连接层、第一P型势垒渐变层、第二P型势垒渐变层和P型欧姆接触层。该激光器所采用的光栅为N型半导体材料，使得N光栅的DFB激光器具有更低的激射阈值和更小的寄生电阻，可在更宽的温度范围内工作；采用采用倒装式外延生长方式，先生长P型层，再生长N型光栅制作层，量子阱层在制备光栅层之前的处延过程中生长，材料界面平整，材料质量好，缺陷密度小。
申请日期	2019-07-17
专利号	CN110247301A
专利状态	申请中
申请号	CN201910644298.2
公开（公告）号	CN110247301A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/34 \| H01S5/343
专利代理人	徐东峰
代理机构	厦门原创专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92464
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	全磊光电股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	单智发,张永,姜伟,等. 一种宽温度范围的DFB激光器及其制备方法. CN110247301A[P]. 2019-09-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110247301A.PDF（398KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文