Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光子集成电路的电隔离 | |
| 其他题名 | 光子集成电路的电隔离 |
| N·D·威特布莱德; S·琼斯 | |
| 2019-08-09 | |
| 专利权人 | 朗美通技术英国有限公司 |
| 公开日期 | 2019-08-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种在用于光子集成器件的波导结构中的子部分之间提供电隔离的方法，该结构包括衬底、缓冲层和核心层，所述缓冲层位于衬底和核心层之间并且包括第一类型的掺杂剂，所述第一类型是n型或p型，该方法包括在将任何层添加到与缓冲层相对的核心层的一侧之前的步骤：选择至少一个区域作为电隔离区域，将电介质掩模应用于与缓冲层相对的核心层表面，所述掩模中的窗口暴露对应于所选电隔离区域的表面区域，实现第二类型的掺杂剂的扩散，所述第二类型具有与第一类型相反的极性，并且允许第二类型的掺杂剂渗透到衬底以形成阻挡结。 |
| 其他摘要 | 一种在用于光子集成器件的波导结构中的子部分之间提供电隔离的方法，该结构包括衬底、缓冲层和核心层，所述缓冲层位于衬底和核心层之间并且包括第一类型的掺杂剂，所述第一类型是n型或p型，该方法包括在将任何层添加到与缓冲层相对的核心层的一侧之前的步骤：选择至少一个区域作为电隔离区域，将电介质掩模应用于与缓冲层相对的核心层表面，所述掩模中的窗口暴露对应于所选电隔离区域的表面区域，实现第二类型的掺杂剂的扩散，所述第二类型具有与第一类型相反的极性，并且允许第二类型的掺杂剂渗透到衬底以形成阻挡结。 |
| 申请日期 | 2017-12-29 |
| 专利号 | CN110114942A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201780080575.0 |
| 公开（公告）号 | CN110114942A |
| IPC 分类号 | H01S5/022 | G02B6/42 | G02B6/43 | G02B6/12 | H01L21/76 | H01L21/761 | H01S5/026 |
| 专利代理人 | 肖冰滨 | 王晓晓 |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92443 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 朗美通技术英国有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | N·D·威特布莱德,S·琼斯. 光子集成电路的电隔离. CN110114942A[P]. 2019-08-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN110114942A.PDF（695KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [N·D·威特布莱德]的文章 |
| [S·琼斯]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [N·D·威特布莱德]的文章 |
| [S·琼斯]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [N·D·威特布莱德]的文章 |
| [S·琼斯]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论