KMS Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法 | |
Alternative Title | 集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法 |
王永进; 高绪敏; 施政; 袁佳磊; 秦川; 蔡玮 | |
2019-03-12 | |
Rights Holder | 南京邮电大学 |
Date Available | 2019-03-12 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明申请 |
Abstract | 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法,该激光器包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p‑n结量子阱器件与光波导,所述光波导一端与p‑n结量子阱器件相连,另一端集成有谐振光栅微腔结构。本发明实现的电泵浦硅衬底GaN基悬空波导激光器,可以通过调控微腔结构,实现波长可调的GaN基悬空波导激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。 |
Other Abstract | 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法,该激光器包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p‑n结量子阱器件与光波导,所述光波导一端与p‑n结量子阱器件相连,另一端集成有谐振光栅微腔结构。本发明实现的电泵浦硅衬底GaN基悬空波导激光器,可以通过调控微腔结构,实现波长可调的GaN基悬空波导激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。 |
Application Date | 2018-12-07 |
Patent Number | CN109462145A |
Status | 申请中 |
Application Number | CN201811500232.8 |
Open (Notice) Number | CN109462145A |
IPC Classification Number | H01S5/343 | H01S5/12 |
Patent Agent | 柏尚春 |
Agency | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92350 |
Collection | 半导体激光器专利数据库 |
Affiliation | 南京邮电大学 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王永进,高绪敏,施政,等. 集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法. CN109462145A[P]. 2019-03-12. |
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File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
CN109462145A.PDF(961KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | Application Full Text |
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