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半导体激光端面泵浦Er:YSGG电光调Q激光器
其他题名半导体激光端面泵浦Er:YSGG电光调Q激光器
程庭清; 王礼; 王金涛; 杨经纬; 邢庭伦; 胡舒武; 崔庆哲; 吴先友; 江海河
2016-02-10
专利权人中国科学院合肥物质科学研究院
公开日期2016-02-10
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种半导体激光端面泵浦Er:YSGG电光调Q激光器,包括激光棒,激光棒前端前方设置有起偏器、LGS电光调Q晶体、输出腔片,激光棒后端后方设置有45度反射镜、准直聚焦透镜,激光棒后端后方位于45度反射镜反射面一侧依次设置有1/4波片、后腔片;还包括有控制器、半导体激光器、半导体激光电源、退压调Q高压模块,半导体激光器通过石英光纤与准直聚焦透镜后端耦合连接,半导体激光电源、退压调Q高压模块分别接入控制器,且半导体激光电源供电至半导体激光器,退压调Q高压模块与LGS电光调Q晶体连接。本发明同时具有重复频率高、激光脉宽窄、激光模式好等特点。
其他摘要本发明公开了一种半导体激光端面泵浦Er:YSGG电光调Q激光器,包括激光棒,激光棒前端前方设置有起偏器、LGS电光调Q晶体、输出腔片,激光棒后端后方设置有45度反射镜、准直聚焦透镜,激光棒后端后方位于45度反射镜反射面一侧依次设置有1/4波片、后腔片;还包括有控制器、半导体激光器、半导体激光电源、退压调Q高压模块,半导体激光器通过石英光纤与准直聚焦透镜后端耦合连接,半导体激光电源、退压调Q高压模块分别接入控制器,且半导体激光电源供电至半导体激光器,退压调Q高压模块与LGS电光调Q晶体连接。本发明同时具有重复频率高、激光脉宽窄、激光模式好等特点。
申请日期2015-11-19
专利号CN105322429A
专利状态申请中
申请号CN201510808582.0
公开(公告)号CN105322429A
IPC 分类号H01S3/11 | H01S3/0941 | H01S3/16
专利代理人余成俊
代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91494
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院合肥物质科学研究院
推荐引用方式
GB/T 7714
程庭清,王礼,王金涛,等. 半导体激光端面泵浦Er:YSGG电光调Q激光器. CN105322429A[P]. 2016-02-10.
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