Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体激光元件 | |
其他题名 | 半导体激光元件 |
田中明; 小野村正明 | |
2008-04-09 | |
专利权人 | 三星电子株式会社 |
公开日期 | 2008-04-09 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 提供一种半导体发光元件,包括:形成于结晶衬底上的第1导电型的第1覆盖层;形成于第1覆盖层上的有源层;形成于有源层上、防止杂质扩散到有源层中的防扩散层;形成于防扩散层上、防止注入到有源层中的载流子的溢出的与第1导电型不同的第2导电型的防止溢出层;以及形成于防止溢出层上的第2导电型的第2覆盖层。 |
其他摘要 | 提供一种半导体发光元件,包括:形成于结晶衬底上的第1导电型的第1覆盖层;形成于第1覆盖层上的有源层;形成于有源层上、防止杂质扩散到有源层中的防扩散层;形成于防扩散层上、防止注入到有源层中的载流子的溢出的与第1导电型不同的第2导电型的防止溢出层;以及形成于防止溢出层上的第2导电型的第2覆盖层。 |
申请日期 | 2005-04-05 |
专利号 | CN100380696C |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN200510064010.2 |
公开(公告)号 | CN100380696C |
IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/34 | H01S5/22 | H01L29/22 |
专利代理人 | 胡建新 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91447 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三星电子株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中明,小野村正明. 半导体激光元件. CN100380696C[P]. 2008-04-09. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN100380696C.PDF(372KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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