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半导体激光元件
其他题名半导体激光元件
田中明; 小野村正明
2008-04-09
专利权人三星电子株式会社
公开日期2008-04-09
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要提供一种半导体发光元件,包括:形成于结晶衬底上的第1导电型的第1覆盖层;形成于第1覆盖层上的有源层;形成于有源层上、防止杂质扩散到有源层中的防扩散层;形成于防扩散层上、防止注入到有源层中的载流子的溢出的与第1导电型不同的第2导电型的防止溢出层;以及形成于防止溢出层上的第2导电型的第2覆盖层。
其他摘要提供一种半导体发光元件,包括:形成于结晶衬底上的第1导电型的第1覆盖层;形成于第1覆盖层上的有源层;形成于有源层上、防止杂质扩散到有源层中的防扩散层;形成于防扩散层上、防止注入到有源层中的载流子的溢出的与第1导电型不同的第2导电型的防止溢出层;以及形成于防止溢出层上的第2导电型的第2覆盖层。
申请日期2005-04-05
专利号CN100380696C
专利状态授权
申请号CN200510064010.2
公开(公告)号CN100380696C
IPC 分类号H01L33/00 | H01S5/34 | H01S5/22 | H01L29/22
专利代理人胡建新
代理机构永新专利商标代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91447
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三星电子株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
田中明,小野村正明. 半导体激光元件. CN100380696C[P]. 2008-04-09.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN100380696C.PDF(372KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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