Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 重田 淳二; 五島 滋雄; 紀川 健 | |
| 1999-11-05 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 1999-11-05 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】半導体レーザの高出力化にともない誘電体からなる従来の端面反射間膜では光出力による発熱を充分逃すことができず、出力飽和,信頼性の低下等の問題があった。 【解決手段】半導体レーザ端面の、光射出部をのぞいて金属膜で被覆することにより、端面で発生した熱は熱伝導のよい金属膜ですみやかに除去され、光射出部には開口を設けるので反射率等の光学的特性は従来と同等である。 |
| 其他摘要 | 由半导体激光器的高输出解决的问题是，由介电材料制成的传统端面互反射膜不能完全逸出由光输出产生的热量，导致诸如输出饱和和可靠性劣化的问题。 解决方案：通过覆盖除具有金属膜的发光部分之外的半导体激光器的端面，通过具有良好热传导的金属膜迅速去除在端面处产生的热量，并且在发光部分中提供开口诸如反射率的光学特性等同于传统的光学特性。 |
| 申请日期 | 1998-04-24 |
| 专利号 | JP1999307865A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998114625 |
| 公开（公告）号 | JP1999307865A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89454 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 重田 淳二,五島 滋雄,紀川 健. 半導体レーザ. JP1999307865A[P]. 1999-11-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999307865A.PDF（35KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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