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一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN103451609, 申请日期: 2013-08-30, 公开日期: 2013-12-18
发明人:  王浩静;  李涛涛;  王红飞;  刘欢;  杨利青;  胡炜杰
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