基于重构-等效啁啾的半边切趾取样光栅及DFB激光器

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	基于重构-等效啁啾的半边切趾取样光栅及DFB激光器
其他题名	基于重构-等效啁啾的半边切趾取样光栅及DFB激光器
	刘胜平; 陈向飞; 陆骏
	2015-12-30
专利权人	南京大学(苏州)高新技术研究院
公开日期	2015-12-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种基于重构-等效啁啾技术的半边切趾取样光栅及DFB激光器。所述取样光栅中含有通过重构-等效啁啾技术引入的相移，相移位于整个取样光栅中心的+/-5％区域范围内，相移被引入了除0级之外的所有影子光栅中；取样光栅中的切趾是通过先在衬底上制作金属镍为掩膜的取样光栅结构，再经过光刻和干法刻蚀这两步工艺的多次重复制作光栅齿深逐渐变化的取样光栅结构实现的，半边切趾是指只改变取样光栅一侧的光栅齿深变化，即DFB半导体激光器出光端一侧；等效相移区和另外一侧的光栅齿深均采用最大值。所述的DFB半导体激光器中含有上面制作的基于重构-等效啁啾技术的半边切趾取样光栅。
其他摘要	本发明公开了一种基于重构-等效啁啾技术的半边切趾取样光栅及DFB激光器。所述取样光栅中含有通过重构-等效啁啾技术引入的相移，相移位于整个取样光栅中心的+/-5％区域范围内，相移被引入了除0级之外的所有影子光栅中；取样光栅中的切趾是通过先在衬底上制作金属镍为掩膜的取样光栅结构，再经过光刻和干法刻蚀这两步工艺的多次重复制作光栅齿深逐渐变化的取样光栅结构实现的，半边切趾是指只改变取样光栅一侧的光栅齿深变化，即DFB半导体激光器出光端一侧；等效相移区和另外一侧的光栅齿深均采用最大值。所述的DFB半导体激光器中含有上面制作的基于重构-等效啁啾技术的半边切趾取样光栅。
申请日期	2015-10-08
专利号	CN105207055A
专利状态	申请中
申请号	CN201510644600
公开（公告）号	CN105207055A
IPC 分类号	H01S5/12
专利代理人	刘洪勋 \| 饶富春
代理机构	北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86028
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京大学(苏州)高新技术研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	刘胜平,陈向飞,陆骏. 基于重构-等效啁啾的半边切趾取样光栅及DFB激光器. CN105207055A[P]. 2015-12-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105207055A.PDF（754KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文