半導体発光素子

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体発光素子
其他题名	半導体発光素子
	若月温; 河村裕一; 岩村英俊
	1993-02-19
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	1993-02-19
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【目的】高品質で、かつDFB化も容易なInGaAs/InGaAlAs系レーザ等の半導体発光素子を実現する。【構成】第1導電形のInP半導体基板1上に、クラッド層となる第1導電形を有する第1の半導体層2と、ガイド層となる第2の半導体層12と、活性層となる第3の半導体層4と、ガイド層となる第4の半導体層11と、クラッド層となる第2導電形を有する第5の半導体層6と、電極層となる第2導電形を有する第6の半導体層7とを順次積層した構造の半導体発光素子において、活性層となる第3の半導体層4がIn(1-x-y) Gax Aly As量子井戸層(0≦x,y≦1)及びIn(1-X-Y) GaX AlY As障壁層(0≦X,Y≦1)を積層した多重量子井戸構造からなり、ガイド層となる第2、及び第4の半導体層11,12をIn(1-u)Gau As(1-v) Pv 半導体層(0≦u,v≦1)とした。
其他摘要	（经修改） [目的]实现高质量且易于制成DFB的诸如InGaAs / InGaAlAs型激光器的半导体发光器件。 [配置]在第一导电类型的在InP半导体衬底1上，具有用作包覆层，用作引导层的第二半导体层12，有源层中的第一导电类型的第一半导体层2用作引导层的第四半导体层11，用作包层的第二导电类型的第五半导体层6，用作电极层的具有第二导电类型的第六半导体层6 （1-xy） Ga x Al 3和用作半导体光中的有源层的第三半导体层4-子>ÿ作为量子阱层（0≦X，Y≦1）和在（1-XY） GA X 铝ÿ作为势垒层（0≦X，Y≦1）变为通过层叠导层成为第二形成的多量子阱结构，和第四半导体层11，12在（1-u）的 GA û为（1-v）中和P v 半导体层（0≦U，v≦1）。
申请日期	1991-08-02
专利号	JP1993041562A
专利状态	失效
申请号	JP1991217874
公开（公告）号	JP1993041562A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	玉蟲久五郎
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83324
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	若月温,河村裕一,岩村英俊. 半導体発光素子. JP1993041562A[P]. 1993-02-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993041562A.PDF（181KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文