Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法 | |
其他题名 | 一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法 |
郑锦坚; 李志明; 邓和清; 寻飞林; 杜伟华; 伍明跃; 周启伦; 林峰; 李水清; 康俊勇 | |
2015-11-11 | |
专利权人 | 厦门市三安光电科技有限公司 |
公开日期 | 2015-11-11 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明公开了一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法,通过分别在金字塔锥状氮化镓的顶部和底部制作多层的InGaN量子点和Ag纳米颗粒,利用量子结构的量子尺寸效应,实现InGaN量子点出射的单光子与Ag纳米颗粒的表面等离激元进行多重量子耦合,形成单光子激射,从而实现高效率和高强度的单光子发光。 |
其他摘要 | 本发明公开了一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法,通过分别在金字塔锥状氮化镓的顶部和底部制作多层的InGaN量子点和Ag纳米颗粒,利用量子结构的量子尺寸效应,实现InGaN量子点出射的单光子与Ag纳米颗粒的表面等离激元进行多重量子耦合,形成单光子激射,从而实现高效率和高强度的单光子发光。 |
主权项 | 一种多重耦合的单光子发光体,包括:衬底,N型氮化镓层,具有纳米孔洞的掩膜版,第一InGaN量子点,金字塔锥状氮化镓,第二InGaN量子点,第一Ag纳米颗粒,第二Ag纳米颗粒以及反射镜,所述N型氮化镓层正面具有掩膜版的纳米孔洞,位于纳米孔洞中的第一InGaN量子点和位于N型氮化镓层背面的第一Ag纳米颗粒形成第一重单光子和等离激光耦合的单光子发光体,位于金字塔锥状氮化镓顶部的第二InGaN量子点和位于金字塔锥状氮化镓尖端的第二Ag纳米颗粒形成第二重单光子和等离激光耦合的单光子发光体,通过多重耦合,形成单光子发光器件。 |
申请日期 | 2015-07-16 |
专利号 | CN105048284A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201510417947.7 |
公开(公告)号 | CN105048284A |
IPC 分类号 | H01S5/343 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57821 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 厦门市三安光电科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑锦坚,李志明,邓和清,等. 一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法. CN105048284A[P]. 2015-11-11. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN105048284A.PDF(376KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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