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一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法
其他题名一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法
郑锦坚; 李志明; 邓和清; 寻飞林; 杜伟华; 伍明跃; 周启伦; 林峰; 李水清; 康俊勇
2015-11-11
专利权人厦门市三安光电科技有限公司
公开日期2015-11-11
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法,通过分别在金字塔锥状氮化镓的顶部和底部制作多层的InGaN量子点和Ag纳米颗粒,利用量子结构的量子尺寸效应,实现InGaN量子点出射的单光子与Ag纳米颗粒的表面等离激元进行多重量子耦合,形成单光子激射,从而实现高效率和高强度的单光子发光。
其他摘要本发明公开了一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法,通过分别在金字塔锥状氮化镓的顶部和底部制作多层的InGaN量子点和Ag纳米颗粒,利用量子结构的量子尺寸效应,实现InGaN量子点出射的单光子与Ag纳米颗粒的表面等离激元进行多重量子耦合,形成单光子激射,从而实现高效率和高强度的单光子发光。
主权项一种多重耦合的单光子发光体,包括:衬底,N型氮化镓层,具有纳米孔洞的掩膜版,第一InGaN量子点,金字塔锥状氮化镓,第二InGaN量子点,第一Ag纳米颗粒,第二Ag纳米颗粒以及反射镜,所述N型氮化镓层正面具有掩膜版的纳米孔洞,位于纳米孔洞中的第一InGaN量子点和位于N型氮化镓层背面的第一Ag纳米颗粒形成第一重单光子和等离激光耦合的单光子发光体,位于金字塔锥状氮化镓顶部的第二InGaN量子点和位于金字塔锥状氮化镓尖端的第二Ag纳米颗粒形成第二重单光子和等离激光耦合的单光子发光体,通过多重耦合,形成单光子发光器件。
申请日期2015-07-16
专利号CN105048284A
专利状态授权
申请号CN201510417947.7
公开(公告)号CN105048284A
IPC 分类号H01S5/343
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57821
专题半导体激光器专利数据库
作者单位厦门市三安光电科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
郑锦坚,李志明,邓和清,等. 一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法. CN105048284A[P]. 2015-11-11.
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