分布反馈型半导体激光器

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	分布反馈型半导体激光器
其他题名	分布反馈型半导体激光器
	斋藤真司; 角野努; 山根统; 津村明
	2018-10-23
专利权人	株式会社东芝
公开日期	2018-10-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	分布反馈型半导体激光器具有半导体层叠体和第一电极。上述半导体层叠体包括第一层、设置在上述第一层之上且能够通过子带间光跃迁射出激光的有源层、和设置在上述有源层之上的第二层。上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，该平坦部包括上述第二层的表面，该槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿着第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅。上述第一电极设于上述第一区域。
其他摘要	分布反馈型半导体激光器具有半导体层叠体和第一电极。上述半导体层叠体包括第一层、设置在上述第一层之上且能够通过子带间光跃迁射出激光的有源层、和设置在上述有源层之上的第二层。上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，该平坦部包括上述第二层的表面，该槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿着第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅。上述第一电极设于上述第一区域。
主权项	一种分布反馈型半导体激光器，其中，具备半导体层叠体和第一电极；上述半导体层叠体包括：第一层；有源层，设置在上述第一层之上，能够通过子带间光跃迁而射出激光；以及第二层，设置在上述有源层之上；上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，上述平坦部包含上述第二层的表面，上述槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅；上述第一电极设置在上述第一区域。
申请日期	2016-09-01
专利号	CN108701963A
专利状态	申请中
申请号	CN201680083224.0
公开（公告）号	CN108701963A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/343
专利代理人	杨谦
代理机构	永新专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57071
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社东芝
推荐引用方式 GB/T 7714	斋藤真司,角野努,山根统,等. 分布反馈型半导体激光器. CN108701963A[P]. 2018-10-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108701963A.PDF（1922KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文