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一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片
其他题名一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片
张明江; 张建忠; 牛亚楠; 刘毅; 赵彤; 乔丽君; 王安帮; 王云才
2018-02-02
专利权人太原理工大学
公开日期2018-02-02
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及集成混沌半导体激光器,具体是一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片。本发明有效解决了现有混沌激光源体积大、混沌信号带有时延特征、带宽窄以及光与光波导的耦合效率低的问题。随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片由:左分布式反馈半导体激光器,双向放大的半导体光放大器,左无源光波导部分,掺杂无源光波导部分,右无源光波导部分,右分布式反馈半导体激光器六部分组成。具体包括:N+电极层,N型衬底,InGaAsP下限制层,无掺杂InGaAsP多量子阱有源区层,杂质,分布反馈Bragg光栅,InGaAsP上限制层,P型重掺杂的InP盖层,P型重掺杂InGaAs接触层,P+电极层,出光口,隔离沟。
其他摘要本发明涉及集成混沌半导体激光器,具体是一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片。本发明有效解决了现有混沌激光源体积大、混沌信号带有时延特征、带宽窄以及光与光波导的耦合效率低的问题。随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片由:左分布式反馈半导体激光器,双向放大的半导体光放大器,左无源光波导部分,掺杂无源光波导部分,右无源光波导部分,右分布式反馈半导体激光器六部分组成。具体包括:N+电极层,N型衬底,InGaAsP下限制层,无掺杂InGaAsP多量子阱有源区层,杂质,分布反馈Bragg光栅,InGaAsP上限制层,P型重掺杂的InP盖层,P型重掺杂InGaAs接触层,P+电极层,出光口,隔离沟。
主权项一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片,其特征在于,包括如下结构: 一N型衬底(8); 一InGaAsP下限制层(9),外延生长在N型衬底(8)上; 一无掺杂InGaAsP多量子阱有源区层(10),外延生长在InGaAsP下限制层(9)上; 一InGaAsP上限制层(13),外延生长在无掺杂InGaAsP多量子阱有源区层(10)上; 一P型重掺杂的InP盖层(14),为脊型,外延生长在InGaAsP上限制层(13)中间; 一P型重掺杂InGaAs接触层(15),在P型重掺杂的InP盖层(14)上; 一P+电极层(16),制作在P型重掺杂InGaAs接触层(15)上,自左向右沿P+电极层(16)的排列走向用三个隔离沟(18)将P+电极层(16)分为四段; 一N+电极层(7),制作在N型衬底(8)的背面; 自左向右P+电极层(16)的第一、第二、第四段分别对应为左分布式反馈半导体激光器(1)、双向放大的半导体光放大器(2)和右分布式反馈半导体激光器(6);P+电极层(16)的第三段自左向右依次对应为左无源光波导部分(3),掺杂无源光波导部分(4)和右无源光波导部分(5);InGaAsP上限制层(13)在对应于左、右分布式反馈半导体激光器的区域均刻蚀有分布反馈Bragg光栅(12);掺杂无源光波导部分(4)中掺有杂质(11)。
申请日期2017-11-16
专利号CN107658694A
专利状态申请中
申请号CN201711140218.7
公开(公告)号CN107658694A
IPC 分类号H01S5/125 | H01S5/323
专利代理人朱源 | 曹一杰
代理机构太原科卫专利事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56621
专题半导体激光器专利数据库
作者单位太原理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
张明江,张建忠,牛亚楠,等. 一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片. CN107658694A[P]. 2018-02-02.
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